如图所示，abcd为一正方形区域，正离子束从a点沿ad方向以一定速度射入，若在该区域中加上一个沿ab方向的匀强电场，电场强度为E，则离子束刚好从c点射出；若撒去电场，在该区域中加上一个垂直于abcd平面向外的匀强磁砀，磁感应强度为B，则离子束也刚好从c点射出，设离子束之间的相互作用可忽略，试求离子入射速度v0的大小。
如图所示，abcd为一正方形区域，正离子束从a点沿ad方向以一定速度射入，若在该区域中加上一个沿ab方向的匀强电场，电场强度为E，则离子束刚好从c点射出；若撒去电场，在该区域中加上一个垂直于abcd平面向外的匀强磁砀，磁感应强度为B，则离子束也刚好从c点射出，设离子束之间的相互作用可忽略，试求离子入射速度v0的大小。
解：设正离子质量为m，电量为q，沿a d方向以v0射入，
设正方形abed的边长为l：
沿cd方向加匀强电场E，离子在电场力的作用下做类平抛运动。
沿ad方向有：
① 
②
沿ad方向有：l= v0t ③
由①②③消t得： 
④
撒去电场加磁场B，离子做匀速圆周运动，为使离子从c点射出，
要求圆半径R=l故有：
⑤
由④⑤式得：v0=E/2B ⑥