(1)在半导体A′A两个侧面的电压是多少?
(2)半导体中的自由电子定向移动的平均速率是多少?
(3)C、C′两个侧面哪个面电势较高?
(4)若测得C、C′两面的电势差为U,匀强磁场的磁感应强度是多少?
(1)在半导体A′A两个侧面的电压是多少?
(2)半导体中的自由电子定向移动的平均速率是多少?
(3)C、C′两个侧面哪个面电势较高?
(4)若测得C、C′两面的电势差为U,匀强磁场的磁感应强度是多少?
沿x方向的电阻R =,加在A、A′的电压为U0 =IR =
电流I是大量自由电子定向移动形成的,I = nvabe
电子的定向移动的平均速率为。
自由电子在磁场中受洛伦兹力后,向C′侧面方向偏转,因此C′侧面有多余的负电荷,C侧面有多余的正电荷,建立了沿y轴负方向匀强电场,C侧面的电势较高。自由电子受到的洛伦兹力与电场力平衡,有,磁感应强度
。
解析:(1)由电阻定率,沿x方向的电阻:
加在A、A′的电压为:
U0 =IR =
(2)电流I是大量自由电子定向移动形成的,
则I = nvabe
所以电子定向移动速率
(3)自由电子在磁场中受洛伦兹力后,向C′侧面方向偏转,因此C′侧面有多余的负电荷,C侧面有多余的正电荷,建立了沿y轴负方向匀强电场,C侧面的电势较高。
(4)自由电子受到的洛伦兹力与电场力平衡,有
则磁感应强度