工业上可用粗硅(含铁、铝、硼、磷等杂质)与干燥的HCl气体反应制得SiHCl3，：Si+3HCl=SiHCl3+H2，SiHCl3与过量的H2在1000℃～1100℃反应制得纯硅。
有关物质的物理常数见下表：
| 物质 | SiCl4 | BCl3 | AlCl3 | FeCl3 | SiHCl3 | PCl5 |
| 沸点/℃ | 57.7 | 12.8 | — | 315 | 33.0 | — |
| 熔点/℃ | -70.0 | -107.2 | — | — | -126.5 | — |
| 升华温度/℃ | — | — | 180 | 300 | 162 |
（1）粗硅与HCl反应完全后，经冷凝得到的SiHCl3中含有少量SiCl4，提纯SiHCl3可采用
的方法
（2）实验室也可用SiHCl3与过量干燥的H2反应制取纯硅，装置如下图所示（加热和夹持装置略去）：
①装置B中的试剂是 ，装置C需水浴加热，目的是 。
②反应一段时间后，装置D中可观察到有晶体硅生成，装置D不能采用普通玻璃管的原因是 。