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(1)下列说法正确的是              (选填序号)。

              A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同  

B.第一电离能:As>Ga

              C.电负性:As>Ga                                                                                   

D.砷和镓都属于p区元素

E.半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体

(2)砷化镓是将(CH33Ga和AsH3用MOCVD方法制备得到, 该反应在700℃进行,反应的方程式为:                       

AsH3空间形状为:             (CH33Ga中镓原子杂化方式为:             

(3)Ga的核外电子排布式为:                 

(4)AsH3沸点比NH3低,其原因是:                 

 

答案

(1)BCDE(4分)(多选少选均不给分)

(2)(CH33Ga+AsH3 GaAs+3CH4(2分)

(或:)。

三角锥(2分),sp2(2分)

(3)1s22s22p63s23p63d104s24p1(2分)

(4)NH3分子间能形成氢键,而As电负性小,半径大,分子间不能形成氢键。(3分)

解析:略

 

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