GaAs是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。
（1）Ga和As的最外层电子数分别是 。
（2）GaAs中Ga和As的化合价分别是 。
（3）第ⅣA族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料，该化合物半导体材料的化学式可表示为 。
GaAs是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。
（1）Ga和As的最外层电子数分别是 。
（2）GaAs中Ga和As的化合价分别是 。
（3）第ⅣA族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料，该化合物半导体材料的化学式可表示为 。
（1）3,5 （2）+3，-3 （3）SiC
Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族，因此Ga和As的最外层电子数分别是3和5。Ga是金属元素，As是非金属元素，因此GaAs中Ga和As的化合价分别是+3和-3。第ⅣA族的C和Si两元素，C元素的非金属性强，因此该化合物的化学式为SiC。