锗（Ge）是典型的半导体元素，在电子、材料等领域应用广泛。回答下列问题：
（1）比较下列锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因________。
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| 熔点/℃ | −49.5 | 26 | 146 |
| 沸点/℃ | 83.1 | 186 | 约 400 |
（2）光催化还原 CO2 制备 CH 4 反应中，带状纳米 Zn 2GeO4 是该反应的良好催化剂。Zn、Ge、O 电负性由大至小的顺序是________。
（3）Ge 单晶具有金刚石型结构，其中 Ge 原子的杂化方式为________，微粒之间存在的作用力是________。
（4）砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。
①写出基态 As 原子的核外电子排布式________。根据元素周期律，原子半径 Ga________As，第一电离能 Ga________As。（填“大于”或“小于”）
②AsCl3 分子的立体构型为________，其中As的杂化轨道类型为________。GaF3 的熔点高于 1000℃，GaCl3 的熔点为 77.9℃，其原因是________。